产品推荐
面议
SEMSYSCO晶圆电镀平台：VHS-P垂直
面议
SENTECH 平行板式PECVD沉积系统-SI 500 PPD
面议
SENTECH ICP等离子沉积系统-SI 500D
面议
SENTECH RIE反应离子刻蚀 SI 591
面议
RIE等离子刻蚀机Etchlab 200
上海银雀电子科技发展有限公司
VIP会员 第 {{supDetail.vipYears}} 年
入驻平台 第 {{supDetail.settlementYears}} 年
资质核验
联 系 人： {{supDetail.contactVO && supDetail.contactVO.contactsName?supDetail.contactVO.contactsName:'--'}}
手 机： {{supDetail.contactVO && supDetail.contactVO.telphone?supDetail.contactVO.telphone:'--'}}
扫一扫
添加商家微信
主营产品： {{supDetail.mainProductNameStr || '--'}}
所在地区：{{supDetail.cityName || '--'}}
产品分类
产品推荐
面议
PECVD等离子沉积设备DEPOLAB 200
面议
PECVD 带预真空室的化学气相沉积设备
面议
ICP-RIE等离子刻蚀机SI 500
面议
MD-P200US2倒装芯片接合机 Panasonic（松下）
面议
MD-P200器件接合机 Panasonic（松下）
- 产品信息
- 供应商信息
- 联系方式
等离子沉积设备SI 500 D
高密度等离子体
SI 500 D具有优异的等离子体特性，如高密度，低离子能量和低压等离子沉积介质膜。
平行板ICP等离子体源
SENTECH***的平行板三螺旋天线(PTSA)ICP等离子体源实现了低功率耦合。
优异的沉积性能
低刻蚀速率，高击穿电压，低应力、不损伤衬底以及在低于100°C的沉积温度下的低界面态密度，使得所沉积的薄膜具有优异的性能。
动态温度控制
动态温度控制结合氦气背冷的衬底电极，以及衬底背面温度传感在从室温到+350°C的广泛温度范围内提供了优异稳定工艺条件。
SI 500 D等离子沉积设备代表了等离子体增强化学气相沉积的前沿技术，如介质膜、a-Si、SiC和其他材料。它基于PTSA等离子体源、独立的反应气体进气口、动态温度控制衬底电极、全自动控制的真空系统、采用远程现场总线技术的***SENTECH控制软件，以及操作SI 500 D的用户友好的通用用户界面。
SI 500 D等离子沉积设备可以加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室***了稳定的工艺条件，并实现在不同工艺之间的便捷切换。
SI 500 D等离子增强沉积设备用于在从室温到350℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通过液态或气态前驱体，SI 500 D可以为TEOS, SiC,和其它材料的沉积提供解决方案。SI 500 D特别适用于在低温下在有机材料上沉积保护层和在既定的温度下无损伤地沉积钝化膜。
SENTECH提供不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室或六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 D也可用作多腔系统中的一个工艺模块。
SI 500 D
・ ICPECVD等离子沉积设备
・ 带预真空室
・ 适用于200mm的晶片
・ 衬底温度从室温到350?°C
・ 激光终点检测
・ 备选电极偏置
侯先生
063*****6067
上海银雀电子科技发展有限公司
电 话 156****6730
地 址 上海 上海市嘉定工业区叶城路925号B区4幢JT30367室
扫一扫，微信联系
热门推荐
面议
MD-P300倒装芯片接合机 Panasonic（松下）
面议
PSX307等离子清洁机
面议
PSX307等离子清洁剂
面议
CAMTEK FRT光学表面量测仪MicroProf?100
面议
CAMTEK FRT光学表面量测仪 FRT MicroProf?200几何参数测量
面议
CAMTEK FRT几何参数测量 光学表面量测仪 FFRT MicroProf?300
面议
CAMTEK FRT几何参数测量 光学表面量测仪MicroProf?TL
