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北京亚科晨旭科技有限公司
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SENTECH RIE反应离子刻蚀 SI 591
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SENTECH
SENTECH仪器（德国）有限公司是国际主流的半导体设备商，研发、制造和销售***的薄膜测量仪器（反射仪、椭偏仪、光谱椭偏仪）和等离子工艺设备（等离子刻蚀机、等离子沉积系统、用户定制系统）。
SI 500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备，利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下(<100?C)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以实现沉积薄膜厚度、折射率、应力的连续调节。
ICP-RIE等离子刻蚀机SI 500
低损伤刻蚀
由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。
高速刻蚀
对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。
自主研发的ICP等离子源
三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH高端等离子体工艺设备的独特属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。
动态温度控制
在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件。
SI 500为研发和生产提供***的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的***的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。
SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室***稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。
SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不***于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。
SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。
SI 500：
· ICP等离子刻蚀机
· 带预真空室
· 适用于200mm的晶片
· 衬底温度从-20?°C到300?°C
SI 500 C:
· 等温ICP等离子刻蚀机
· 带传送腔和预真空室
· 衬底温度从-150?°C到400?°C
· \
SI 500 RUE:
· RIE等离子刻蚀机
· 背面氦气冷却刻蚀的智能解决方案
· 电容耦合等离子体源，可升级成ICP等离子体源PTSA
北京亚科晨旭科技有限公司
进入店铺首页亚科提供设备： 检测设备：原子力显微镜、三维光学表面轮廓仪（白光干涉仪）、台阶仪、摩擦磨损测试仪、桌面扫描电镜、场发射电镜、X射线衍射仪XRD、X射线荧光光谱仪、傅里叶红外光谱仪、椭偏仪、反射仪； 前道工艺设备：PVD、PECVD、ICPECVD、LPCVD、氧化炉、快速退火炉、高温氧化炉、PE-ALD、分子束外延MBE、离子注入设备、扩散炉、晶圆键合机、光刻机、纳米压印设备、匀胶显影设备、感应耦合等离子体刻蚀机ICP、 反应离子刻蚀机RIE、深硅刻蚀设备、气体刻蚀设备、离子束刻蚀机、湿法刻蚀、研磨抛光机、划片机、湿法清洗机； 微组装设备：粘片机（全自动和半自动）、键合机（全自动和半自动）、封焊机、推拉力测试仪、倒装焊等； LTCC设备：流延机、裁片机、冲孔机、印刷填孔机、叠片机、层压机\等静压机\温水压机、切割机、排胶机、烧结炉等。 公司主营设备： 1. 整套半导体设备 2. 整套微组装设备 3. 整套SMT设备 4. LTCC线和线缆加工设备 北京亚科晨旭科技有限公司 地址：北京市朝阳区酒仙桥路甲12号电子城科技大厦14层1408室 葛女士 市场主管 电话：010-84799262-809 传真：010-84799265
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